前言現(xiàn)今的電子元器件或者PWB已經(jīng)發(fā)生了很大的變化。1C封裝由芯片尺寸的微小化朝向存儲(chǔ)器等的三維安裝的方向發(fā)展。無源元件由芯片元件加速轉(zhuǎn)向陶瓷系覆合部品，朝著搭載1C的埋入無源元件基板型模組或封裝的方向發(fā)展。它們開始移向樹脂系基板，尤其是朝著埋入無源和有源元件基板的方向發(fā)展。硅（Si）芯片也出現(xiàn)了集成無源元件芯片，適用于1C封裝的插入物基板，加速了埋入無源元件基板的發(fā)展。本文就埋入電子元器件基板的技術(shù)動(dòng)向加以敘述。

    電子部品技術(shù)的動(dòng)向隨著電子器的輕薄短小化、高性能化和多功能化，1C封裝從單一芯片的QFP、TCP發(fā)展到小型的BGA、CSP，直到與裸芯片尺寸相同的晶片級（waferlevel）CSP（見圖l（a）-（d））。此外，異種1C芯片的二維元或者三維安裝的封裝化（MCP，Multi-ChipPackage）或者模組化（MCM，Multi-ChipModule）的發(fā)展也在加速（見（e）-（i）），1芯片化的系統(tǒng)LSI的發(fā)展也很活躍（見圖l（j））。然后由于系統(tǒng)LSI設(shè)計(jì)復(fù)蔡積慶，曾在南京無線電八廠長期從事印制板技術(shù)工作，在刊物上有多篇文章發(fā)表。
 但是由于陶瓷基板的脆性而不宜于大型薄基板，僅限于專用的小型模塊或者封裝。此外基板升溫時(shí)產(chǎn)生百分之幾十的燒結(jié)收縮，無法進(jìn)行電氣檢查，難以埋入高精度元件。由于燒結(jié)前后無法修整，目前還難以形成誤差值±1%以內(nèi)的電阻。因此一邊抑制燒結(jié)收縮波動(dòng)度為。

     集成無源元件的Si基板的動(dòng)向迄今為止，陶瓷系基板獨(dú)占了無源元件集成化和埋入基板化的大部分。然而最近采用半導(dǎo)體工藝在Si基板上形成的LRC無源元件集成器件（IPD，IntegratedPassiveDevice）問世了。迄今為止雖然還沒有集成無源元件的Si芯片，但是在Si芯片可以集成難以埋入半導(dǎo)體1C內(nèi)的大值無源元件。

     陶瓷系芯片部品的方向性由于微小芯片器件難以制造和安裝，單個(gè)元件的安裝效率或者作業(yè)性很差，因此數(shù)個(gè)同一的或者不同的無源元件二維或者三維組合的復(fù)合器件劇增（⑻和（c））。最近隨著攜帶電話的急增，搭載1C的模組化趨勢正在加速（圖（d））。然而僅僅停留在電子機(jī)器的高性能、多功能和輕薄短小化是不夠的，從數(shù)GHz到數(shù)十GHz帶的高速、高頻和超小型的攜帶機(jī)器的需求劇增，采用基板和電子部品的分別制造和組合的傳統(tǒng)SMT型高密度安裝方式，難以滿足提高性能、小型和薄型化的要求，因此，最近在基板內(nèi)埋入無源元件和1C，可以縮短部品間連接長度，還可以抑制由于配線而產(chǎn)生的LRC延遲、噪聲和發(fā)熱等問題。安裝方式從SMT移向后SMT，不僅可以提高電子機(jī)器的性能，實(shí)現(xiàn)電子機(jī)器的輕薄短小化，而且由于焊接部位的減少而產(chǎn)生的可靠性提高和整個(gè)安裝成本的降低。

     陶瓷系復(fù)合器件埋入無源元件基板可以追溯到1970年代開發(fā)的低溫?zé)Y(jié)玻璃陶瓷基板，lt：以下燒結(jié)的這種基板可以埋入800t~900t：燒結(jié)的厚膜電阻或者厚膜電容，1980年代中期進(jìn)入實(shí)用（）。這種構(gòu)造是在玻璃陶瓷基板上印刷LRC等器件，經(jīng)積層后一次燒結(jié)。但是因?yàn)檫x擇范圍小，一般只用于特殊用途中。1980年代后半期，開發(fā)了在鈦酸鋇（BaTiQ；）或者鐵氧體等強(qiáng)電介質(zhì)或者強(qiáng)磁性體生片上印刷電極，經(jīng)積層后一次燒結(jié)成無源復(fù)合元件的技術(shù)（（c））。由于燒結(jié)收縮性或者熱膨脹系數(shù)不同的生片的積層和一次性同時(shí)燒結(jié)，需要組成或者燒結(jié)工藝高度適應(yīng)的技術(shù)，為此電子元器件商或者陶瓷制造商付出了極大努力。